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镀膜靶材是通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。简单说的话,靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料,不同功率密度、不同输出波形、不同波长的激光与不同的靶材相互作用时,会产生不同的杀伤破坏效应。各种生产工艺及其特点简介如下:热等静压法:ITO靶材的热等静压制作过程是将粉末或预先成形的胚体,在800℃~1400℃及1000kgf/cm2~2000kgf/cm2的压力下等方加压烧结。
各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(VLSI)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来,溅射靶材及溅射技术的同步发展,极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。
烧结法: ITO靶材烧结制作法是在以铟锡氧化物共沉淀粉末或氧化铟和氧锡混合粉末为原料,加入粘结剂和分散剂混合后,压力成型,脱脂,然后于1400℃---1600℃烧结。烧结法设备投入少,成本低,产品密度高、缺氧率低,尺寸大、但制造过程中对粉末的选择性很强。在微孔孔径较大的发泡辊筒中,色粉进入辊筒的微孔内不易去除,所以存在图像混乱的问题。
ITO靶制备的透明导电薄膜广泛应用于数码相机、投影电视、数码显示的各种光学系统中,*需求量都很大。
随着黄金资源的开采紧张,民用、科技、*、航天等用黄金量的增加,促使黄金价格节节上涨。电子废料与黄金等成品之间的差价是比较固定的,而金银做为,不论在任何时候总是增值的,因此销售市场不存在问题。电子垃圾成为黄金新矿源,取之不绝,用之不尽。真正实现了环保的处理、循环再生利用。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒,这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。可见,电子垃圾的问题并不是不能解决,只要能让电子垃圾“从科技中来,到科技中去”,就可以变废为宝,产生良好的经济和社会效益。
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