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沈阳东创贵金属材料有限公司
主营：贵金属材料
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精铝经过区熔提纯，只能达到5 的高纯铝，但如使用在有机物电解液中进行电解，可将铝提纯到99.9995%，并可除去有不利分配系数的杂质，然后进行区熔提纯数次，就能达到接近于 7 的纯度，杂质总含量<0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外，还在低温下有高的导电性能，可用于低温电磁设备。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线。
制备化合物半导体的金属如铟、磷，可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属，总金属杂质含量为 0.1～1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到≥6 的水平。
稀土金属制取(preparation of rare earth metal),将稀土化合物还原成金属的过程。还原所制得的稀土金属产品含稀土95%～99%，主要用作钢铁、有色金属及其合金的添加剂，以及用作生产稀土永磁材料、贮氢材料等功能材料的原料。瑞典人穆桑德尔(C．G．Mosander)自1826年先制得金属以来，现已能生产全部稀土金属，产品纯度达到99.9%。但只当金属纯度达到很高的标准时（如纯度9以上的金属），物理杂质的概念才是有意义的，因此目前工业生产的金属仍是以化学杂质的含量作为标准，即以金属中杂质总含量为百万分之几表示。常用的方法有金属热还原法制取稀土金属和熔盐电解法制取稀土金属 。
背靶的选择
对材质的要求：一般选用无氧铜和钼靶，厚度在3mm左右
导电性好：常用无氧铜，无氧铜的导热性比紫铜好；
强度足够：太薄，易变形，不易真空密封。
结构要求：空心或者实心结构；
厚度适中：3mm左右，太厚，消耗部分磁强；太薄，容易变形。
铟焊绑定的流程
1.绑定前的靶材和背板表面预处理
2.将靶材和背板放置在钎焊台上，升温到绑定温度
3.做靶材和背板金属化
4.粘接靶材和背板
背靶材料：
无氧铜(OFC)– 目前常使用的作背靶的材料是无氧铜，因为无氧铜具有良好的导电性和导热性，而且比较容易机械加工。 如果保养适当，无氧铜背靶可以重复使用10次甚至更多。
钼(Mo)– 在某些使用条件比较特殊的情况下，如需要进行高温帖合的条件下，无氧化铜容易被氧化和发生翘曲, 所以会使用金属钼为背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金属靶材的热膨胀系数无法与无氧铜匹配，同样也需要使用金属钼作为背靶材料。
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第9年
