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而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺,所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。铜与铝相比较,铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率,能够满足!导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题:铜与有机介质材料的附着强度低.并且容易发生反应,导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。制备化合物半导体的金属如铟、磷,可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属,总金属杂质含量为0。
为了解决以上这些问题,需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物,因此要求阻挡层厚度小于50nm,与铜及介质材料的附着性能良好。由于W-Ti系列薄膜具有非常优良的性能,近几年来应用量急剧增加,2008年W-Ti靶材世界用量已达到400t,随着光伏产业的发展,这种靶材的需求量会越来越大。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的.需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等.但是Ta、W都是难熔金属.制作相对困难,如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。
工业上大量使用的是工业纯稀土金属,较高纯度的稀土金属主要供测定物理化学性能之用。主要有四种提纯方法在试验室中使用,即真空熔融,真空蒸馏或升华,电迁移和区域熔炼。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作为烧结添加剂,能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材,这种方式形成的ITO薄膜的性能与添加剂的关系极大。 稀土金属棒在区域熔炼炉中以很慢的速度(如提纯钇时为0.4毫米/分),进行多次区熔,对去除铁、铝、镁、铜、镍等金属杂质有*,但对氧、氮、碳、氢无效。此外,电解精炼、区熔-电迁移联合法提纯稀土也有一定效果。
在铂族金属的应用中,光学玻璃行业是铂的重要的应用领域,铂是制造熔制光学玻璃的坩埚和搅拌器的必选材料,由于光学玻璃的特殊性,提出了对坩埚和搅拌器的更苛刻的适用要求,早在八十年代初期,国内就有人提出了用弥散强化铂来制作坩埚和搅拌器。
21世纪展现良好发展前景的纳米技术,*由于它们的*优异的物理化学性能,资源的稀缺性以及在已知的传统产业领域的不断扩大应用和在未知领域的不断开拓探索,成为纳米技术早和相当重要的研究对象之一。
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