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沈阳东创贵金属材料有限公司
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采用连续式硫化法的情况下，不会有因切去加压成形产生的毛边或一般的挤压处理和在硫化处理槽内进行处理时橡胶管两端翘起的部分而导致的橡胶浪费，另外能够缩短制造时间和减少人工费用，因此能够降低辊筒的制造成本，从这些方面考虑，此方法优于间歇式硫化法。以往的导电辊使用了不会因其中的导电性填充剂的不均匀而导致电阻值不均匀的离子导电性橡胶，但是问题在于很难采用经济上及效率上都有利的连续硫化法进行制造。
此外，硫化处理后，由于对每个辊筒都进行了剪切，所以基本上不会出现上述差别，这样就可缓解长度方向的电阻值的不均匀。
所述泡沫弹性层包含:至少三种具有不同体积电阻率的导电性橡胶,这三种导电性橡胶的体积电阻率小于约I X ο14 Ω Cm ;至少一种体积电阻率为约IXlO14Qcm或更大的绝缘橡胶；以及至少两种导电性填料。
所述绝缘橡胶为选自由三元乙丙橡胶、硅橡胶和丁基橡胶构成的组中的至少一种橡胶。根据本发明的第三方面，所述导电性橡胶和所述绝缘橡胶为氯醚橡胶、丁苯橡胶和三元乙丙橡胶，或者为氯丁橡胶、氯醚橡胶、丁苯橡胶和三元乙丙橡胶。根据本发明的第四方面，所述绝缘橡胶的含量为橡胶成分总量的约30质量％至约40质量％。如上所述，在独立地将填料(B)至(D)与橡胶组分(A)混和时，必须大量使用填料。
平面显示器（FPD)这些年来大幅冲击以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示器及电视机市场，亦将带动ITO靶材的技术与市场需求。如今的iTO靶材有两种．一种是采用纳米状态的氧化铟混合后烧结，一种是采用铟锡合金靶材。铟锡台金靶材可以采用直流反应溅射制造ITO薄膜，但是靶表面会氧化而影响溅射率，并且不易得到大尺寸的台金靶材。湿法冶金属化工冶金方式，全流程大多处于溶液、溶剂之中，如稀土精矿的分解、稀土氧化物、稀土化合物、单一稀土金属的分离和提取过程就是采用沉淀、结晶、氧化还原、溶剂萃取、离子交换等化学分离工艺过程。如今一般采取方法生产ITO靶材，利用L}IRF反应溅射镀膜．它具有沉积速度快．且能控制膜厚，电导率高，薄膜的一致性好，与基板的附着力强等优点。
在储存技术方面，高密度、大容量硬盘的发展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多层复合膜是如今应用广泛的巨磁阻薄膜结构。磁光盘需要的TbFeCo合金靶材还在进一步发展，用它制造的磁光盘具有存储容量大，寿命长，可反复无接触擦写的特点。如今开发出来的磁光盘，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的层复合膜结构，TbFeCo/AI结构的Kerr旋转角达到58，而TbFeCofFa则可以接近0.8。还原制得含稀土99%的稀土金属经真空精炼(包括真空蒸馏或升华)、电传输、区域熔炼、熔盐电解精炼等方法处理除去非稀土杂质后，可获得纯度超过99。经过研究发现，低磁导率的靶材高交流局部放电电压l抗电强度。
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第9年
