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半导电胶辊通常用在复印机、电子传真装置等办公设备中。经切头去尾,再利用多次拉晶和切割尾,一直达到所要求的纯度(10原子/厘米),这样纯度的锗(相当于13)所作的探测器,其分辨率已接近于理论数值。半导电胶辊属于半导电元件,且电阻值受环境影响较大,对产品的导电性要求极其严格,因为打印的全过程是碳粉通过电场的压力来实施,所以轻微的电性误差将导致在打印过程中文字和图片深浅不一的现象。因此需精密的量测,故要求有一套高精密的量测系统来支持,方能达到产品的设计要求。
稀土金属制取(preparation of rare earth metal),将稀土化合物还原成金属的过程。该半导电辊的目的在于通过良好地平衡表面层和基层的电阻值而获得良好的静电充电特性。还原所制得的稀土金属产品含稀土95%~99%,主要用作钢铁、有色金属及其合金的添加剂,以及用作生产稀土永磁材料、贮氢材料等功能材料的原料。瑞典人穆桑德尔(C.G.Mosander)自1826年先制得金属以来,现已能生产全部稀土金属,产品纯度达到99.9%。常用的方法有金属热还原法制取稀土金属和熔盐电解法制取稀土金属 。
钨-钛靶材作为光伏电池镀膜材料是近发展起来的,它作为第三代太阳能电池的阻挡层是佳选择。
由于 W-Ti 系列薄膜具有非常优良的性能,近几年来应用量急剧增加,2008年W-Ti 靶材世界用量已达到400t,随着光伏产业的发展,这种靶材的需求量会越来越大。如Ic制造商.近段时间致力于低电阻率铜布线的开发,预计未来几年将大幅度取代原来的铝膜,这样铜靶及其所需阻挡层靶材的开发将刻不容缓。具行业预测其用量还会有很大的增加。国际太阳能电池市场以的速度增长,目前世界有30 多公司参与太阳能市场的进一步开发, 并已有的公司产品投入市场。
各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(VLSI)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。瑞典人穆桑德尔(C.G.Mosander)自1826年先制得金属以来,现已能生产全部稀土金属,产品纯度达到99。20世纪90年代以来,溅射靶材及溅射技术的同步发展,极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如,在半导体集成电路制造过程中,以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线。
在被溅射的靶极(阴极)与阳极之间加一个正交磁场和电场,在高真空室中充入所需要的惰性气体(通常为Ar气),磁铁在靶材料表面形成250~350高斯的磁场,同高压电场组成正交电磁场。
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