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沈阳东创贵金属材料有限公司
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纯度是靶材的主要性能指标之一，因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。不过在实际应用中，对靶材的纯度要求也不尽相同。例如，随着微电子行业的迅速发展，硅片尺寸由6”, 8“发展到12”, 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求，而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。靶材保养：为避免在溅射过程中因为不洁净的腔体导致短路和起弧，有必要阶段性的除去溅射轨道中间及两侧堆积的溅射物，这也有助于用户可以连续以大功率密度进行溅射。
杂质含量：靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和性元素含量都有特殊要求。
为了减少靶材固体中的气孔，提高溅射薄膜的性能，通常要求靶材具有较高的密度。靶材的密度不仅影响溅射速率，还影响着薄膜的电学和光学性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。此外，提高靶材的密度和强度使靶材能更好地承受溅射过程中的热应力。溅镀后的模压盘片能够在播放器上读出，为确保读出信号的强度，需要溅镀金属层的反射率达到80％。密度也是靶材的关键性能指标之一。
晶粒尺寸及晶粒尺寸分布：通常靶材为多晶结构，晶粒大小可由微米到毫米量级。对于同一种靶材，晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快；而晶粒尺寸相差较小(分布均匀)的靶溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀。
金在矿石中的含量极低，为了提取黄金，需要将矿石破碎和磨细并采用选矿方法预先富集或从矿石中使金分离出来。黄金选矿中使用较多的是重选和浮选，重选法在砂金生产中占有十分重要的地位，浮选法是岩金矿山广为运用的选矿方法，目前我国80%左右的岩金矿山采用此法选金，选矿技术和装备水平有了较大的提高。1970年以后，黄金生产逐步发展，*化法提金工艺日益广泛地应用，矿山就地产金量日渐增多，1985年矿山成品金的产量已占*黄金产量的70%，选厂产出的精矿产品大部分就地*化冶炼产出成品金。
据调查，我国选金厂多采用颚式破碎机进行粗碎，采用标准型圆锥破碎机中碎，而细碎则采用短头型圆锥碎矿机以及对辊碎矿机。中、小型选金厂大多采用两段一闭路碎矿，大型选金厂采用三段一闭路碎矿流程。
在钠米晶镍层内存在的大量小晶界是基体合金与涂层元素的高速扩散通道，有利于形成成分梯度较均匀的外层与互扩散层。进而降低预镀铂层厚度，达到常见铂铝涂层（一般Pt镀层厚度≥6μm）的抗高温氧化性能，有效降低铂铝涂层的制备成本。
鉴于涡轮叶片工作温度高达1100℃以上，其表面高温氧化和热腐蚀严重影响着叶片寿命。为克服高温氧化等问题，各种表面镀覆技术蓬勃发展，它们通过形成具有在表面生成缓慢氧化物膜能力的涂层以阻止合金内部组元的进一步氧化。其中，铝化物扩散涂层具代表性，在高温下其表面可形成一层保护性的氧化铝膜。通过Pt改性可进一步改善涂层的抗高温氧化性能，提高表面氧化铝膜的抗剥落性能。在*及其合金基体材料中弥散分布的不可变形的强化相微粒，阻止基体金属的位错运动，限制晶界移动和晶粒长大，使基体金属的再结晶温度、高温强度和抗蠕变性能明显提高。
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第8年
