价格: | 来电议定 |
电源供应装置通过一升降机构安装在机座上并与控制装置电连接;国际太阳能电池市场以的速度增长,目前世界有30多公司参与太阳能市场的进一步开发,并已有的公司产品投入市场。所述整体测量机构包括一安装在机座上的驱动电机、一连接在驱动电机上的传动轴及一安装在传动轴的一端的接地端;所述择点测量机构包括一安装在机座上的第二驱动电机、一对安装在所述第二驱动电机上的第二传动轴、一安装在机座上并与所述第二传动轴平行的滑轨及若干安装在滑轨上的测点探针。
在所有应用产业中,半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出来.而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒,这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。例如,在半导体集成电路制造过程中,以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外,薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大,过99.995%(4N5)纯度的铜靶,或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求,但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。
而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺,所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。铜与铝相比较,铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率,能够满足!导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题:铜与有机介质材料的附着强度低.并且容易发生反应,导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。钨-钛(W-Ti)膜以及以钨-钛(W-Ti)为基的合金膜是高温合金膜,具有一系列*的优良性能。
为了解决以上这些问题,需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物,因此要求阻挡层厚度小于50nm,与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的.需要研制新的靶材材料。对橡胶组合物进行硫化处理的方法包括使用加压装置和硫化处理槽的间歇式或连续式硫化法。铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等.但是Ta、W都是难熔金属.制作相对困难,如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。
超纯金属的制备有化学提纯法如精馏(特别是金属氯化物的精馏及氢还原)、升华、溶剂萃取等和物理提纯法如区熔提纯等(见硅、锗、铝、铟)。其中以区熔提纯或区熔提纯与其他方法相 结合有效。
由于容器与药剂中杂质的污染,使得到的金属纯度受到一定的限制,只有用化学方法将金属提纯到一定纯度之后,再用物理方法如区熔提纯,才能将金属纯度提到一个新的高度。可以用半导体材料锗及超纯金属铝为例说明典型的超纯金属制备及检测的原理(见区域熔炼)。用间歇式硫化法进行硫化处理制造辊筒时,由于端部和中央部分会产生压力和热传递差,所以电阻值不均匀。
温馨提示:以上是关于西藏哪里有*材料信息推荐「东创*」的详细介绍,产品由沈阳东创贵金属材料有限公司为您提供,如果您对沈阳东创贵金属材料有限公司产品信息感兴趣可以联系供应商或者让供应商主动联系您 ,您也可以查看更多与冶金矿产相关的产品!
免责声明:以上信息由会员自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责,天助网对此不承担任何责任。天助网不涉及用户间因交易而产生的法律关系及法律纠纷, 纠纷由您自行协商解决。
风险提醒:本网站仅作为用户寻找交易对象,就货物和服务的交易进行协商,以及获取各类与贸易相关的服务信息的平台。为避免产生购买风险,建议您在购买相关产品前务必 确认供应商资质及产品质量。过低的价格、夸张的描述、私人银行账户等都有可能是虚假信息,请采购商谨慎对待,谨防欺诈,对于任何付款行为请您慎重抉择!如您遇到欺诈 等不诚信行为,请您立即与天助网联系,如查证属实,天助网会对该企业商铺做注销处理,但天助网不对您因此造成的损失承担责任!
联系:tousu@tz1288.com是处理侵权投诉的专用邮箱,在您的合法权益受到侵害时,欢迎您向该邮箱发送邮件,我们会在3个工作日内给您答复,感谢您对我们的关注与支持!