价格: | 来电议定 |
在所有应用产业中,半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出来.而互连线的宽度却在减小。由于容器与药剂中杂质的污染,使得到的金属纯度受到一定的限制,只有用化学方法将金属提纯到一定纯度之后,再用物理方法如区熔提纯,才能将金属纯度提到一个新的高度。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒,这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外,薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大,过99.995%(4N5)纯度的铜靶,或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求,但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。
溅射技术:溅射是制备薄膜材料的主要技术之一,它利用离子源产生的离子,在真空中经过加速聚集,而形成高速度能的离子束流,轰击固体表面,离子和固体表面原子发生动能交换,使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面,被轰击的固体是制备溅射法沉积薄膜的原材料,称为溅射靶材。常用的方法有金属热还原法制取稀土金属和熔盐电解法制取稀土金属。各种类型的溅射薄膜材料无论在半导体集成电路、太阳能光伏、记录介质、平面显示以及工件表面涂层等方面都得到了广泛的应用。
区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30~50欧姆 厘米时,纯度相当于8~9,可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探测器级超纯锗,则尚须经过特殊处理。
由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1,要加强化学提纯方法除去这些杂质,然后再进行区熔提纯。稀土金属制取(preparationofrareearthmetal),将稀土化合物还原成金属的过程。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质(载流子)浓度,一般可达10~10原子/厘米。经切头去尾,再利用多次拉晶和切割尾,一直达到所要求的纯度(10原子/厘米),这样纯度的锗(相当于13)所作的探测器,其分辨率已接近于理论数值。
背靶的选择
对材质的要求:一般选用无氧铜和钼靶,厚度在3mm左右
导电性好:常用无氧铜,无氧铜的导热性比紫铜好;
强度足够:太薄,易变形,不易真空密封。
结构要求:空心或者实心结构;
厚度适中:3mm左右,太厚,消耗部分磁强;太薄,容易变形。
铟焊绑定的流程
1.绑定前的靶材和背板表面预处理
2.将靶材和背板放置在钎焊台上,升温到绑定温度
3.做靶材和背板金属化
4.粘接靶材和背板
温馨提示:以上是关于贵州哪里有钯粒来电咨询 沈阳东创*的详细介绍,产品由沈阳东创贵金属材料有限公司为您提供,如果您对沈阳东创贵金属材料有限公司产品信息感兴趣可以联系供应商或者让供应商主动联系您 ,您也可以查看更多与冶金矿产相关的产品!
免责声明:以上信息由会员自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责,天助网对此不承担任何责任。天助网不涉及用户间因交易而产生的法律关系及法律纠纷, 纠纷由您自行协商解决。
风险提醒:本网站仅作为用户寻找交易对象,就货物和服务的交易进行协商,以及获取各类与贸易相关的服务信息的平台。为避免产生购买风险,建议您在购买相关产品前务必 确认供应商资质及产品质量。过低的价格、夸张的描述、私人银行账户等都有可能是虚假信息,请采购商谨慎对待,谨防欺诈,对于任何付款行为请您慎重抉择!如您遇到欺诈 等不诚信行为,请您立即与天助网联系,如查证属实,天助网会对该企业商铺做注销处理,但天助网不对您因此造成的损失承担责任!
联系:tousu@tz1288.com是处理侵权投诉的专用邮箱,在您的合法权益受到侵害时,欢迎您向该邮箱发送邮件,我们会在3个工作日内给您答复,感谢您对我们的关注与支持!