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众所周知,靶材材料的技术发展趋势与下游应用产业的薄膜技术发展趋势息息相关,随着应用产业在薄膜产品或元件上的技术改进,靶材技术也应随之变化。如Ic制造商.近段时间致力于低电阻率铜布线的开发,预计未来几年将大幅度取代原来的铝膜,这样铜靶及其所需阻挡层靶材的开发将刻不容缓。另外,近年来平面显示器(FPD)大幅度取代原以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示器及电视机市场.亦将大幅增加ITO靶材的技术与市场需求。此外在存储技术方面。高密度、大容量硬盘,高密度的可擦写光盘的需求持续增加.这些均导致应用产业对靶材的需求发生变化。下面我们将分别介绍靶材的主要应用领域,以及这些领域靶材发展的趋势。超纯金属是相对高纯度的金属,一般指金属纯度达到纯度9以上的金属,物理杂质的概念才是有意义的。
钨-钛(W-Ti)膜以及以钨-钛(W-Ti)为基的合金膜是高温合金膜,具有一系列的优良性能。钨具有高熔点、高强度和低的热膨胀系数等性能,W/ Ti 合金具有低的电阻系数、良好的热稳定性能。如各种器件都需要起到导电作用的金属布线,例如Al 、Cu 和Ag 等已经被广泛的应用和研究。但是布线金属本身易 氧化、易与周围的环境发生反应,与介质层的粘结性差,易扩散进入Si 与SiO2 等器件的衬底材料中,并且在较低的温度下会形成金属与Si 的化合物, 充当了杂质的角色,使器件的性能大幅度下降。该半导电辊的目的在于通过良好地平衡表面层和基层的电阻值而获得良好的静电充电特性。
背靶的选择
对材质的要求:一般选用无氧铜和钼靶,厚度在3mm左右
导电性好:常用无氧铜,无氧铜的导热性比紫铜好;
强度足够:太薄,易变形,不易真空密封。
结构要求:空心或者实心结构;
厚度适中:3mm左右,太厚,消耗部分磁强;太薄,容易变形。
铟焊绑定的流程
1.绑定前的靶材和背板表面预处理
2.将靶材和背板放置在钎焊台上,升温到绑定温度
3.做靶材和背板金属化
4.粘接靶材和背板
背靶材料:
无氧铜(OFC)– 目前常使用的作背靶的材料是无氧铜,因为无氧铜具有良好的导电性和导热性,而且比较容易机械加工。 如果保养适当,无氧铜背靶可以重复使用10次甚至更多。
钼(Mo)– 在某些使用条件比较特殊的情况下,如需要进行高温帖合的条件下,无氧化铜容易被氧化和发生翘曲, 所以会使用金属钼为背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金属靶材的热膨胀系数无法与无氧铜匹配,同样也需要使用金属钼作为背靶材料。
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